宁波大学 2018 年博士研究生招生考试初试试题 (B 卷 ) (答案必须写在考点提供的答 题 纸上 ) 科目代码 : 3823 科目名称： 半导体物理 第 1 页 共 4 页 一、 选择题（ 20 分 每题 1 分） 1. 受主杂质电离、施主杂质电离、本征激发向半导体提供载流子分别是（ ） A. 电子、空穴、电子和空穴 B. 空穴、电子、电子和空穴 C. 电子、电子和空穴、空穴 D. 电子和空穴、空穴、电子 2. 对于 n 型半导体材料，在温度一定时，减少掺杂浓度，费米能级位置将（ ） A. 不变 B. 上移 C. 下移 D. 不确定 3. 下列三种结构示意图属于无定型结构的是（ ） A B C 4. 以下可以改变半导体导电能力的方法（ ） A. 调节温度 B. 掺杂 C. 光照 D. 以上都正确 5. 一个典型的晶格平面，如下图所示，在 x， y， z 轴上截距分别是 3, 2, 1，那么该晶面的密勒指数是（ ） A. （ 321） B. （ 123） C. （ 236） D. （ 632） 宁波大学 2018 年博士研究生招生考试初试试题 (B 卷 ) (答案必须写在考点提供的答 题 纸上 ) 科目代码 : 3823 科目名称： 半导体物理 第 2 页 共 4 页 6. 薛定谔方程 中的波函数指的是 （ ） A. 电磁波 B. 几率波 C. 机械波 D. 光波 7. 在热平衡状态时， p 型 半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，该常数与（ ）有关。 A. 杂质浓度和温度 B. 杂质类型和温度 C. 温度和禁带宽度 D. 杂质浓度和禁带宽度 8. 半导体中空穴是指 （ ） A. 施主杂质电离后形成的施主阳离子 B. 受主杂质电离后形成的受主阴离子 C. 带负电的准粒子 D. 带正电的载流子 9. 砷化镓的是（ ）半导体。 A. 直接带隙 B. 间接带隙 C. 多重结构 D. 不确定 10. 单晶硅的能带结构是（ ）半导体。 A. 直接带隙 B. 间接带隙 C. 多重结构 C. 不确定 11. 半导体中载流子的基本输运机制是（ ） A. 漂移 B. 扩散 C. 漂移和扩散 D. 复合和产生 12. 对于掺杂的硅等原子半导体，主要的散射是（ ） A. 声子散射 B. 电离杂质散射 C. 声子散射和电离杂质散射 D. 光学散射 13. 如果杂质既有施主的作用又有受主的 作用，则这种杂质称为（ ）。 A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D. 两性杂质 14. 半导体和金属接触分为（ ） A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 15. 本征半导体是（ ） A. 不含有杂质和缺陷的纯净半导体 B. 平衡半导体 C. 费米能级处处相等 D. n 型半导体或 p 型半导体 宁波大学 2018 年博士研究生招生考试初试试题 (B 卷 ) (答案必须写在考点提供的答 题 纸上 ) 科目代码 : 3823 科目名称： 半导体物理 第 3 页 共 4 页 16. 零偏 PN 结的内建电场（ ） A. 为 0 B. 强度处处相等 C.由 P 指向 N 方向 D. 由 N 指向 P 方向 17. 光照在一块半导体材料中产生非平衡载流子，光照忽然停止，当停止时间 t=2 后（ 是非平衡载流子寿命），其中非平衡载流子将衰减为原来的（ ） A. 1/e B. 1/e2 C. 1/10 D. 1/2 18. 若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体（ ） A. 本征半导体 B. 杂质半导体 C. 处于绝对零度 D. 不存在 19. 在热力学温度为零度时，能量比费米能级低的量子态被电子占据的概率为（ ） A. 0 B. 0.5 C. 1 D. 大于 1/2 20. 平衡半导体的标志是（ ） A. 费米能级处处相等 B. 半导体中存在产生与复合电流 C. 半导体中存在漂移与扩散电流 D. 半导体中存在产生、复合、漂移和扩散四种电流 二、名词解释（共 25 分 每题 5 分） 1. 结击穿 2. 光生伏特效应 3. 空间电荷区 4. 空穴 5. 受主电离 三、简答题（ 35 分 共 4 题） 1. 如金属和 n 型半导体形成金属半导体接触，请简述在什么条件下，形成的哪两种不同电学特性的接触。（忽略表面态的影响）（ 10 分 ） 2. 简述费米能级的意义（ 10 分）。 3. 简述肖特基势垒二极管与普通 PN 结的异同（ 10 分） 4. 掺杂半导体与本征半导体之间有何差异？ (5 分 ) 宁波大学 2018 年博士研究生招生考试初试试题 (B 卷 ) (答案必须写在考点提供的答 题 纸上 ) 科目代码 : 3823 科目名称： 半导体物理 第 4 页 共 4 页 四、计算题（ 20 分 共 2 题 每题 10 分 ） 1. 在一个均匀的 p 型半导体的表面的一点注入少数载流子电子。在样品上施加一个 50 V/cm 的电场，在电场力的作用下这些少数载流子在 2 s的时间内移动了 4 cm，求少数载流子的漂移速率、迁移率和扩散系数。（ 1kT=0.026eV） 2. 施主浓度 16 310DN cm 的 N型硅 En=0.12eV，其亲和势为 =4.05eV ，与功函数为4.3 eV的金属 Al紧密接触，（ 1）接触后形成阻挡层还是反阻挡层，（ 2）求半导体端和金属端的势垒高度。