2019年清华大学微电子初试考研真题回忆.docx
新祥旭考研官网 http:/www.xxxedu.net/2019 年清华大学微电子初试考研真题回忆第一题是求正向电流 1 毫安时的外加电压第二题是场效应管 Id 电流相关(30 分)分为 4 问,第一问是求 w,第二问求饱和状态下的 Id,第三问求非饱和状态下的 Id,第四问求考虑饱和速度下的 Id 和沟道中最大电场,第三题是模电的基础填空题(17 分) 有自激振荡条件,负反馈组态,滤波器选用,BJT 三种组态等第四题是一道基础共源放大题(13 分)第一问求两个场效应管工作在什么区,第二问求输出阻抗,带宽增益积,输入阻抗等,第五题是运放计算题(20 分)第一问简答理想运放的参数指标,第二问计算电压表达式,第三问忽略一个电阻变为积分电路,新祥旭考研官网 http:/www.xxxedu.net/第四问求电压。第六题(25 分)简答题,问到了竞争冒险的产生,用 4 个与非门设计异或门,格雷码和 8421 转换,FPGA 的中文解释和它含有的单元等。第七题是传统的施密特触发器题(10 分 )求正向反向的阈值电压,第八题是逻辑时序电路的分析(15 分)基本的计数器分析