2014考研江南大学半导体物理真题.docx
2014 考研江南大学半导体物理真题题型 填空(30)名词解释(30 )证明画画(90) 一、大题:1.画 MOSEFT 剖面图,输出曲线,转移曲线,分析工作原理 2.画 pnp 的共基组态 共射组态 输出曲线并标出饱和 截止 放大区 3.画出 mos 的三种能态图(积累,耗尽,反型 )n p 都要画 4.从能带理论说明 金属 半导体 绝缘体导电的不同 5.证明爱因斯坦方程 6,证明金半(n)接触加反向偏压下,杂质的情况 (式子不好打) 二、名词解释 1.霍尔 2.Early 3.简并半导体4.施主受主5. 欧姆接触三、填空 1.()反应在电场下运动难易的物理量,()反应在浓度梯度下运动难易的物理量,它们的关系是( )2.散射包括()()。3.ni=n0p0,在()状态下成立,nopo 的乘积与杂质浓度是否有关(),与温度是否有关()。4.电子占据的半满带能带最高的叫(),没被电子占据的能带能量最低的是(),这两个能带之间没有啥啥的区域叫()5. (暂缺)6. (暂缺)