半导体物理大纲.doc
考研高分咨询:胡老师 xxx121_wzm电话 13051415902半导体物理(科目代码 879)考试大纲特别提醒:本考试大纲仅适合 2018 年硕士研究生入学考试。1 考研建议参考书目半导体物理学(第 7 版),刘恩科编著,电子工业出版社。2 基本要求(1)知晓 Si、GaAs 、InP、GaN 、SiC 等半导体材料的晶格结构、能带特点。(2)掌握晶体材料能带产生的原因,明确导体、半导体、绝缘体的能带特点,掌握半导体中电子的状态和能带;掌握布里渊区、有效质量、空穴等概念及其意义。(3)掌握半导体中杂质所引入的能级,掌握施主杂质、受主杂质、杂质的补偿、等电子陷阱、深能级杂质等概念,熟悉点缺陷、位错等概念。(4)掌握半导体中载流子的统计分布,明确费米能级的意义,明确玻耳兹曼近似的条件与简并化条件,掌握电子浓度和空穴浓度的计算公式,明确载流子浓度乘积的特性;了解低温载流子冻析效应、禁带变窄效应等概念。(5)掌握本征半导体与非本征半导体的载流子分布的特点、基本关系式、温度特性等,明确多子与少子的概念与特性。(6)掌握载流子迁移率的概念和意义,熟悉载流子散射及其对迁移率的影响;掌握电导率与迁移率和载流子浓度的关系,掌握温度在其中的作用规律;明确强电场下载流子的运动特点,熟悉多能谷散射与耿氏效应。(7)掌握载流子的复合与产生、非平衡载流子的寿命、准平衡与准费米能级;熟悉复合理论,明确复合中心与陷阱的特点。 。(8)掌握爱因斯坦关系、连续性方程,掌握非平衡载流子在电场作用下的运动特点。(9)掌握 pn 结形成机制、能带图、结电容,掌握空间电荷区、接触电势差等基本概念;熟悉 pn 结电流电压特性,了解 pn 结电流电压特性偏离理想方程的因素;熟悉 pn 结击穿特点、pn 结隧道效应等概念。(10)掌握金属与半导体接触下的能级图、接触电势差,掌握表面态对接触势垒的影响,熟悉肖特基二极管概念,熟悉其与 pn 二极管的不同。(11)熟悉 MIS 结构的基本特点,熟悉半导体异质结构的产生。(12)掌握霍耳效应,了解半导体发光的基本原理。